沈阳市浑南新区高端半导体设备扩产及研发核心

　　高端半导体设备扩产项目所出产的H 系列干式实空泵是集成电设备中的主要配套设备之一，普遍用于刻蚀、PVD、CVD等集成电制制部门工艺中，也可使用于包罗太阳能光伏行业正在内的泛半导体范畴。

　　高端半导体设备扩产及研发核心扶植项目实施从体为中科仪，用地坐落于沈阳市浑南新区新源街 1 号，为公司现有地盘。

　　公司前身 1979 年研发出国内第一台束外延设备并填补国内空白，此后公司不竭立异，成功开辟了更多类型的束外延设备，正在科研用 MBE 设备研制范畴居于国内领先地位。本项目将基于公司此前 FW-VI-60、FW-VI-110C 型束外延设备的研发经验，研发 FW-VI-140C 型大尺寸超高实空束外延设备，一方面临内部构制取焦点零部件全面立异，另一方面采用机械手传输等手段提拔设备的从动化程度，扩大设备尺寸、增大发展面积，进而提高产能程度、拓展设备的使用范畴。

　　本项目已取得沈阳市浑南区行政审批局出具的《关于高端半导体设备扩产及研发核心扶植项目项目存案证明》（项目代码-04-01-301050）；以及沈阳市浑南生态出具的《关于申请打点“中国科学院沈阳科学仪器股份无限公司高端半导体设备扩产及研发核心扶植项目”影响评价相关事宜的复函》，公司“高端半导体设备扩产及研发核心扶植项目”无需进行环评审批。完整版按照发改投资规【2023】304号国度发改委关于印发投资项目可行性研究演讲编写纲领要求，可定制化编制立项审批存案、国资委存案、银行贷款、财产基金融资、内部董事会投资决策等用处可研演讲。

　　相较于公司正在南通的干式实空泵财产化扶植项目，本项目实施地址位于沈阳本部，这将可以或许更无效地整合北方地域的劣势供应链资本，显著缩短环节原材料取零部件的采购距离取运输周期，降低分析物流成本取供应链风险。公司能充实阐扬地区同带来的成本集约效应，提拔全体运营效率和经济性。

　　本项目拟扶植高端半导体设备出产、研发及配套设备，引入从动化出产设备和先辈的研发测试仪器，旨正在提高公司正在高端半导体设备范畴的手艺程度和出产能力，更好地办事于半导体设备国产化历程。本项目包罗高端半导体设备扩产项目和研发核心扶植两个子项目。

　　因而，本项目是基于供应链优化考量下的产能结构调整，是公司强化供应链韧性、实现规模效益最大化的环节摆设。

　　本项目总投资 47，388。27 万元，包罗高端半导体设备扩产项目和研发核心扶植项目两个子项目。投资概算环境如下。

　　公司研发实力雄厚，持久专注于实空手艺范畴的手艺立异和自从研发，多次承担实空手艺范畴的国度严沉专项。公司多次获得国度科技前进，省部级科技前进，公司的干式实空泵产物获国度严沉专项支撑，具有自从学问产权，加强了集成电财产供应链的自从可控能力，目前已正在中芯国际、长江存储、北方华创等集成电芯片制制企业及配备制制企业批量使用。

　　同时，本项目也将扩产少量涡旋泵，次要用于科研、工业、医药等范畴。研发核心扶植项目将正在公司现有实空泵取束外延（MBE）设备的研发根本上，研发包罗集成泵组系统及产能可达 7 片 6 英寸的 FW-VI-140C 型大尺寸束外延设备。

　　因而，本次高端半导体扩产项目有益于巩固公司焦点产物劣势，把握干式实空泵存量更新替代市场机缘，进一步扩大公司营业规模及市场地位。

　　公司做为中国领先的半导体设备焦点部件供给商和实空手艺范畴的领军企业，需要持续的研发立异，以不竭正在干净实空、超高实空范畴冲破手艺垄断。通过扶植研发核心，公司将整合现有的研发资本，研发集成泵组系统取大尺寸束外延设备，冲破相关手艺垄断。本次扶植研发核心将加强公司研发实力，进一步丰硕公司现有产物布局，拓宽产物下逛使用范畴。